2026/1/11 16:38:19
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文档齐全最近在折腾TSMC 28nm工艺库#xff0c;发现这玩意儿对做芯片设计的人来说真是宝藏——尤其是文档写得跟说明书似的#xff0c;连我这个常年翻墙找资料的人都觉得够用了。先不说别的#xff0c;光看他们给的仿真模型就很有意思可仿真 文档齐全最近在折腾TSMC 28nm工艺库发现这玩意儿对做芯片设计的人来说真是宝藏——尤其是文档写得跟说明书似的连我这个常年翻墙找资料的人都觉得够用了。先不说别的光看他们给的仿真模型就很有意思里面居然连28nm特有的FinFET器件参数都标得明明白白。拿个最简单的反相器仿真举例。用HSPICE搭电路的时候得先拽工艺库进来这时候文档里那个叫tsmc28nm.lib的文件就派上用场了。看这段网表.include tsmc28nm.lib -- 这里就是工艺库的入口 VDD VDD 0 0.9V Vin in 0 pulse(0 0.9 0 10p 10p 1n 2n) M1 out in VDD VDD pmos W30n L28n M2 out in 0 0 nmos W20n L28n .tran 1p 4n重点在.include那句直接把库文件喂给仿真器。文档里专门有个章节讲怎么根据设计需求调整W/L参数比如这里nmos管宽度设20nm是因为28nm工艺下漏电流控制更敏感。仿真跑完看波形会发现上升沿比40nm工艺快了近30%这就是工艺缩水的直接效果。说到文档不得不提他们给的design rule文档。有次我在画layout时卡在金属层间距要求上翻到文档第7章第3节直接看到张表格写着M1到M2的最小间距是32nm还附了三维结构示意图。这种傻瓜式指引对新手特别友好省得去EDA工具里试错被老板骂。再来看个VerilogAMS的案例。做混合信号仿真时经常要调用IO库里的ESD器件include tsmc28nm_io.vams module io_buffer(in, out); inout in, out; pad_esd28 u1 (.A(in), .Y(out)); // 文档里说这个结构能抗2kV HBM endmodule这个pad_esd28模块的底层模型文档里藏着玄机——原来在28nm节点他们用了双二极管栅极耦合的防护结构比前几代工艺多加了衬底触发机制。跑静电放电仿真时设置TLP脉冲参数得按照文档里的附录B来调不然结果会飘得亲妈都不认识。最近在搞低功耗设计发现工艺库里的PVT(Process/Voltage/Temperature)模型分得特别细。比如想要模拟芯片在车载环境下的表现直接拽tt0p9v125c.lib这个库就行。文档里还教你怎么用蒙特卡洛分析做良率预测附的Python脚本案例简直救命import pandas as pd from scipy.stats import norm vth_data pd.read_csv(nmos_vth_tt.csv) sigma vth_data[Vth].std() print(f3σ偏差值: {3*sigma:.3f}V) # 文档说这个值超过0.15就要重新调设计这脚本帮我省了半天查统计学公式的时间。其实工艺库文档最狠的是连后仿真的RC参数提取都有现成教程上次用StarRC直接照着第三章的流程图操作寄生参数提取一次过。总的来说TSMC这个28nm工艺库算是把工程师当宝宝哄了从模型调用到可靠性分析都有手把手的指南。不过得提醒新手仿真前务必确认.lib文件版本和文档对应——我有次用错2018版库配2022版文档结果时序分析差出20ps被验证组同事追杀了三条走廊。