企业官网建设流程全解析

山东省住房建设部网站,wordpress 熊掌,免费注册公司怎么注册,网站专题分类为什么会产生瞬间导通#xff1f;1. 硬件开关延迟不对称MOSFET/IGBT的开通延迟(t_d(on)) 和关断延迟(t_d(off)) 通常不相等#xff1a;text上管关断延迟#xff1a;100ns 下管开通延迟#xff1a;50ns ↓ 如果同时发送上管关断、下管开通信号 ↓ 由于关断更慢1.硬件开关延迟不对称MOSFET/IGBT的开通延迟(t_d(on))和关断延迟(t_d(off))通常不相等text上管关断延迟100ns 下管开通延迟50ns ↓ 如果同时发送上管关断、下管开通信号 ↓ 由于关断更慢可能出现 上管还没完全关断下管已经开通 ↓ 直通短路2.PWM突然停止时的状态不确定性当BKIN突然触发时text正常状态上管开下管关 BKIN触发 → 立即关闭所有输出理论上两个管子都应该关断实际上 - 驱动器响应时间不同 - 栅极电荷泄放速度不同 -可能产生短暂的两个管子都部分导通个人注这个短暂的时间是指上管还没来及的完全关闭下管由于干扰因素导致以外导通例如下一条所说的寄生电容3.寄生参数引起的振铃效应plaintext快速关断时 电感能量释放 → 电压尖峰 → 通过米勒电容耦合 → 可能意外开通另一个管子具体场景分析场景1没有死区突然关闭互补PWMtext初始状态CH1高上管开CH1N低下管关 BKIN触发CH1低CH1N低理想情况 实际时序 t0: BKIN触发 t1: CH1开始下降上管关断 t2: 上管实际关断有延迟 t3:CH1N维持低电平风险如果CH1N有任何毛刺或振铃 可能在下管栅极产生正向电压 导致下管意外开通场景2关闭过程中的米勒效应text高速开关时上管关断 → Vds快速上升 通过Cgd米勒电容耦合到下管栅极→ 下管栅极电压被抬升 → 可能超过阈值电压而意外开通实际波形示例text没有死区保护的错误情况 _________ CH1 ______| |__________ ↑ CH1N ____________| |______ ↑ 这个瞬间两个管子可能同时导通 由于关断延迟和信号传播差异死区如何防止这个问题死区在关断时的作用text安全关闭序列 1. 首先关闭当前导通的管子如上管2. 插入死区时间确保上管完全关断 3. 然后才允许另一个管子开通但BKIN时不会开通个人注这个允许是指硬件允许死区时间设置的也是硬件BKIN触发时的保护 BKIN → 硬件强制 CH1立即变低 CH1N立即变低 ↓ 但死区控制器会1. 确保CH1和CH1N不会同时有有效电平2. 即使软件错误配置硬件也保证安全验证实验建议如果你有示波器可以测试测试1正常开关的死区观察c// 设置很小的死区 bdtr.TIM_DeadTime 0x01; // 最小死区观察正常PWM切换时可能已经有风险测试2BKIN触发的瞬间c// 设置死区为0 bdtr.TIM_DeadTime 0x00; // 触发BKIN用示波器同时抓 // 1. CH1和CH1N引脚电压 // 2. 电源电流可能看到尖峰可能观察到电流尖峰表明有直通发生工程实践经验必须加死区的情况任何H桥/半桥电路即使有BKIN保护即使PWM频率很低即使使用软关断技术死区时间计算参考text最小死区时间 MAX(t_d_off(上管) - t_d_on(下管), t_d_off(下管) - t_d_on(上管)) 安全裕量通常20-50% 例如 上管t_doff120ns, t_don60ns 下管t_doff110ns, t_don55ns差值120-5565ns, 110-6050ns取最大值65ns加30%裕量≈85ns结论是的没有死区时突然关闭PWM确实可能产生瞬间导通原因包括开关管延迟时间不对称驱动器响应时间差异寄生参数引起的耦合信号传播路径不同死区时间不仅是正常PWM切换时的保护在紧急关断BKIN触发时同样重要它确保即使在最紧急的故障情况下关断过程也是安全的。这就是为什么STM32将这两个功能放在同一个寄存器BDTR中配置——它们共同构成了完整的硬件级安全保护体系。