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网站中英文切换怎麼做,网站推广关键词,网站如何更新,国际贸易进口代理公司Flash存储器#xff08;闪存#xff09;能在断电后长期保存数据#xff0c;其核心秘密在于浮栅晶体管#xff08;Floating Gate Transistor#xff09;。你可以把它想象成一个带有“电子陷阱”的特殊开关。这个“电子陷阱”#xff08;浮栅#xff09;被绝缘层包围…Flash存储器闪存能在断电后长期保存数据其核心秘密在于浮栅晶体管Floating Gate Transistor。你可以把它想象成一个带有“电子陷阱”的特殊开关。这个“电子陷阱”浮栅被绝缘层包围一旦电子被注入即使断电也会被关在里面从而实现数据的持久保存。但是Flash存储器不能像RAM那样直接覆盖写入也不能单独擦除某一个字节其“按块擦除”的特性源于其物理设计和底层的工作原理。Flash存储的基本原理lash存储器的最小存储单元是浮栅晶体管。它通过浮栅中是否捕获电荷来存储信息通常有电荷代表0无电荷代表1。写操作编程写操作只能将存储单元的电位状态从 “1”改变为“0” 即注入电子。它不能将“0”变回“1”擦除操作擦除操作才是将整个区块的“0”恢复为“1”即移除电子的过程使该区块恢复到可写入的状态。擦除后区块内的所有字节都会变为 0xFF即全1擦除的工作原理普遍使用 F-N隧穿 (Fowler-Nordheim Tunneling)。在控制栅施加低电压或负电压同时在源极或P型衬底P-Well施加很高的正电压形成一个强电场迫使浮栅中的电子穿过隧道氧化层被拉出来。为何不能单独擦写必须按块擦除Flash存储器中多个存储单元会共享同一个衬底P-Well。当需要进行擦除操作时需要在整个共享的衬底上施加一个较高的电压才能将浮栅中的电子通过F-N隧穿效应“拉”出来。由于这个物理结构上的限制施加的高压会作用于整个共享区域因此无法单独擦除某一个或几个单元必须对整个块Block进行擦除。按块擦除带来的挑战每次擦除操作都会对浮栅下方的隧道氧化层造成微小的损耗。这种损耗是累积性的当擦写次数超过一定限度例如1万到10万次因芯片类型而异该块就可能无法可靠存储数据成为“坏块”。为何擦除如此耗时物理过程本质擦除操作依赖Fowler-Nordheim (F-N) 隧穿效应。这个过程需要施加较高的电压例如P阱8V控制栅-10V以形成足够强的电场使电子能穿过绝缘的隧道氧化层从浮栅中逃逸。这个物理过程本身就需要一定的时间通常需要持续几十到几百毫秒才能稳定可靠地完成。操作单位大擦除操作必须以块(Block)为单位进行。一个Block的大小远大于写入和读取的单位页(Page)。一次擦除整个块意味着要移动的电荷总量巨大自然比只写入一页数据仅改变部分位花费的时间长得多。