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徐州市徐州市城乡建设局网站,安徽省建设厅网站张天培,网站建设合同 完整版,珠海市手机网站建设公司简 介#xff1a; 本文测试了ASDM40N40E-R小封装MOS管在半桥电路中的性能。实验使用单面PCB板#xff0c;栅极电阻设为0欧姆#xff0c;在24V电压和100kHz驱动信号下#xff0c;电路工作稳定#xff0c;未出现二次导通现象。通过优化示波器探头设置#xff08;X10档位本文测试了ASDM40N40E-R小封装MOS管在半桥电路中的性能。实验使用单面PCB板栅极电阻设为0欧姆在24V电压和100kHz驱动信号下电路工作稳定未出现二次导通现象。通过优化示波器探头设置X10档位有效减小了测量干扰。结果表明该MOS管在高频半桥应用中性能优异相比大封装器件更具稳定性优势。相关测试验证了其直接连接驱动芯片的可行性为高频功率电路设计提供了新选择。关键词半桥小封装ASDM40N40E修改半桥高频半桥电路从 AOD2544 修改为 ASDM40R065测试ASDM40R065半桥电路同步开关电源模块JD6638AD\Test\2025\September\TestAGM405API.PcbDocASDM40N40E组成的高频半桥01高频半桥测试一、背景在之前测试过微小封装的MOS管。 型号为ASDM40R065。 即使在栅极驱动电阻为 0 的情况下 也不会造成驱动下管的二次导通的情况。 现在新购买的 MOS管 相同的封装。 只是型号变成了ASDM40N40E。 下面利用之前的测试电路板 对于这款芯片的特性进行测试 使用一分钟制板方法得到测试电路板。 下面查看一下信号的波形。晶体管型号ASDM40N40E-R二、测试结果一分钟之后得到电路 焊接电路 两个半桥的栅极电阻都选择0欧姆。 清洗之后进行测试。 给电路提供 24V 半桥电压 8V 驱动芯片电压。 利用 DG1062产生 100kHz 占空比 1% 的脉冲信号。 脉冲的幅值为 5V。 测量驱动芯片下半桥的栅极电压。 可以看到此时半桥工作稳定。 下半桥没有产生震荡和二次导通的情况下。其中黄色波形是输入驱动脉冲 青色信号是下半桥栅极信号。测量上半桥栅极信号 可以看到信号变形严重。 出现了较大的震荡。 这是因为使用鹅颈探针测量的原因。下面使用绝缘探针 利用局部探针夹子连接示波器探头。 此时可以看到波形干扰减少了。 上半桥波形非常正常了。 至此 验证了小封装 MOS管 可以在 24V下工作。 并且可以直接连接驱动芯片 不需要栅极电阻 电路保持稳定。为了减小示波器探头对于波形测量的影响 将探头设置为 X10 档位。 这样输入电容就会减小。 重新观察输入和上半桥驱动信号 能够看到波形失减小了很多。※总结 ※本文观察了微小封装的MOS管组成的高频半桥特性。 铺设了单面PCB 将半桥两个MOS管的栅极电阻都设置为 0欧姆。 半桥依然工作稳定。 相对于之前的封装大的MOS管 这种小封装的MOS管工作稳定 不会造成驱动芯片的二次导通现象。■ 相关文献链接:修改半桥高频半桥电路从 AOD2544 修改为 ASDM40R065-CSDN博客测试ASDM40R065半桥电路同步开关电源模块JD6638